闪存是一种固态存储技术,使用闪存芯片来写入和存储数据,以每秒输入/输出操作量 (IOPS) 计。
闪存解决方案囊括从 USB 驱动器到企业级阵列的范围,不应与随机存取存储器 (RAM) 或短期存储器混淆。与带有移动部件的硬盘驱动器相比,USB 闪存驱动器可以实现更短响应时间(例如微秒级延迟)。闪存使用非易失性存储器 (NVM),这意味着关闭电源时数据不会丢失。
闪存存储也使用高可用性固态硬盘 (SSD),并且比机械磁盘存储需要更少的能量和物理空间。
如今,闪存是存储设备(USB 闪存驱动器、SD 卡)、智能手机、移动设备和数码相机中的关键组件。
随着电子设备变得越来越小、更便于携带,闪存存储的开发旨在满足对非易失性、紧凑型和节能存储不断增长的需求。
1986 年,东芝推出了第一款 NAND 闪存芯片,该芯片针对紧凑型存储和快速写入速度进行了优化,以支持存储应用程序(固态硬盘、存储卡)。1993 年,Intel 发布了 NOR 闪存,它更适合需要快速数据读取的应用程序,例如嵌入式系统(引导代码、固件)。
快闪存储器提供了具有突破意义的性能,并迅速颠覆了数据存储世界,改进了旋转型磁盘和存储卡。随着数据使用量的增长以及设备变得越来越轻便小巧,闪存系统被证明是存储、写入、重新编程和传输数字信息的最快方式。
2000 年,USB 闪存驱动器(也为拇指驱动器)已被开发用于存储和传输文件。这种便携式设备结构紧凑,容量远大于早期存储系统。2005 年,苹果公司推出首款基于闪存的 iPod,加速了消费者对闪存存储技术的采用。
到 2000 年代后期,基于闪存的固态硬盘 (SSD) 开始取代笔记本电脑和数据中心环境中的硬盘驱动器 (HDD),带来更短的启动时间、更低的功耗和更高的耐用性。
存储单元技术的发展标志着闪存存储容量的重大进步。从每个单元可存储 1 个比特的单层单元 (SLC) 技术开始,到 2000 年代中期,行业发展到每个单元可存储 2 个比特的多层单元 (MLC) 技术。东芝于 2009 年推出了三层单元 (TLC) 技术,Samsung 于 2010 年采用了该技术,每个单元可存储 3 个比特位信息。每一代都在平衡性能考虑的同时增加了存储密度。
随着 3D NAND 技术的引入,这种转变在 2010 年代加速;该技术通过垂直堆叠存储单元来增加存储密度并降低每 GB 成本。
2011 年初,作为闪存原生接口的 NVMe(非易失性存储器快速通道)的发布进一步释放了闪存的潜力,实现了跨外围组件互连快速通道 (PCIe) 连接的超低延迟和高吞吐量性能。
2018 年,Micron 推出了四层单元 (QLC) 闪存驱动器,每个单元使用 4 个数据位,与 TLC 相比,密度提高了 33%。与 TLC 相比,QLC 可提供更好的容量和更实惠的价格,但速度更慢且耐久性更差。它们最适合读取密集型工作负载,例如归档存储、内容交付和 AI 推理,而不是写入密集型应用程序,例如社交媒体平台。
对于大型企业来说,闪存的速度和密度使其成为首选的存储技术,并在很大程度上取代了硬盘,成为数据中心的主要存储介质。闪存也已成为现代 IT 基础架构的基础,为从边缘计算到 AI 模型训练的所有领域提供支持。
硬盘驱动器通过机电硬件存储数字信息。硬盘驱动器具有成本效益,非常适合长期存储和大文件存储。然而,硬盘驱动器在一段时间后往往会出现物理损坏的情况,并且由于存在移动组件,会产生各种延迟问题。
闪存现在承担了以前为计算机硬盘驱动器保留的功能。例如,当计算机启动时,它会通过基本输入/输出系统 (BIOS) 序列运行。最初包含 BIOS 的固件需要只读存储器 (ROM) 芯片,但现代系统将闪存用于 BIOS,允许在不从系统主板提取芯片的情况下重写内容。
闪存介质可用于增强此类存储,能确保应用程序更快速运行并进一步扩展。虽然 HDD 依然是具有成本效益的档案存储介质,但企业工作负载越来越需要闪存技术能够提供的速度和可靠性。
现在,主存储环境通常使用闪存的微秒延迟和高 IOPS 能力,而软件定义存储 (SDS) 创建虚拟化池,以智能方式管理两种介质类型的数据。这种技术融合使组织能够实施混合方法 - 使用闪存来处理性能关键型工作负载,同时将不常访问的数据(包括 SaaS 备份)转到到更经济的传统存储系统。
闪存依赖于快闪存储器,这是一种由数百万个微小浮栅 MOSFET 晶体管组成的半导体。这些晶体管以类似于城市街区的网格模式排列,每个交叉点都有一个能够存储信息的专用晶体管。
闪存中的基本存储单元是闪存单元。每个存储单元都包含一个浮栅晶体管,即使断电也能保持电荷。
这些晶体管的特别之处在于其独特的双栅极设计。控制栅极位于顶部并管理电流,而浮动栅极则由绝缘氧化层隔离。当数据写入闪存时,电压会施加到控制栅极,迫使电子穿过绝缘层并被捕获在浮动栅极上。这些被俘获的电子会改变晶体管的电特性,代表二进制 1 和 0。由于浮栅被绝缘层包围,这些电子会无限期地处于被捕获状态,从而无需恒定电力即可保持数据访问。
闪存分为低密度、中密度和高密度,高密度存储在相同的物理空间内封装了更多单元。这一技术进步推动了具有巨大存储容量的日益紧凑设备的开发,从 USB 驱动器到智能手机,再到可以存储数 TB 信息的固态硬盘。
闪存技术可以采用不同的形式和配置来实现,每种形式和配置都满足不同的性能需求和用例。以下是主要类型的概述:
存储阵列(也称为磁盘阵列或磁盘存储阵列)将多个磁盘驱动器组合在一起,以实现基于区块的数据存储。存储阵列将存储与网络通信和连线功能分开,因此提供的容量高于一组文件服务器的容量。借助存储阵列,组织中的多台服务器可高效访问相同的存储数据。
使用固态硬盘 (SSD) 闪存驱动器来存储使用闪存存储的数据。SSD 相较于传统硬盘 (HDD) 有几个优势。例如,硬盘由于其机械组件而存在固有的延迟。固态系统不包含移动部件,从而使延迟更低,因此需要更少的 SSD。
SSD 拥有多种外形规格。例如,2.5 英寸是最常见的台式机及笔记本电脑尺寸。由于大多数现代 SSD 都是基于闪存技术,因此闪存存储就成为固态系统的代名词。
全闪存阵列使用快闪存储器进行存储。这些现代架构旨在最大限度地提高性能和存储容量,而不受 SSD 存储区域网络 (SAN) 传统功能的限制。同时,此类架构还具备超低延迟且高度可用,全闪存存储阵列在高负载下提供一致的性能,非常适合多云环境和 NVMe 等存储协议。最新一代全闪存阵列融合了计算存储功能,允许直接在存储设备上进行数据处理,以减少数据移动并加速 AI 工作负载。
混合闪存存储使用了 SSD 和 HDD,为各种工作负载提供平衡的基础架构。硬盘驱动器是一种廉价的技术,非常适合大文件和数据的备份和恢复实践。在需要高吞吐量和低延迟的情况下,可将数据移动至 SSD 和闪存阵列。
这种分层方法可优化性能和成本效益,适用于具有不同存储要求的组织。现在,先进的 AI 驱动数据放置算法可根据使用模式和应用需求,自动优化数据在闪存与传统存储空间中的驻留位置。
以下是一些最重要的闪存存储接口和协议:
非易失性存储器快速通道 (NVMe) 是一种通过外围组件互连高速通道 (PCIe) 总线访问闪存存储的接口。NVMe 在单项连线支持数千个并行请求。它简化了应用程序与存储之间的交互,并显著提高了性能。NVMe 目前是高性能闪存存储的主流协议,对于延迟敏感型应用(如实时分析和 AI 工作负载)至关重要。
SAS(串行连接 SCSI)与 SATA(串行高级技术附件)是两种广泛用于连接存储设备与计算机系统的接口。虽然最初为硬盘驱动器开发,现也应用于基于闪存的固态硬盘。SATA 常见于消费级设备,而 SATA 则凭借更高可靠性与吞吐量成为企业存储环境的首选。
尽管 NVMe 等新协议正逐步取代它们,SAS 与 SATA 在旧系统及预算敏感型部署中依然常见。它们还有助于延长现有基础设施的使用寿命,因此在分阶段升级的环境中仍具实用价值。
NVMe over Fabrics 将 NVMe 协议扩展到各种网络结构,例如以太网、光纤通道或 InfiniBand。这些网络结构允许远程访问闪存存储设备,其低延迟和高性能几乎与直接连接的 NVMe 驱动器相同。NVMe-oF 非常适合大规模分布式环境,例如现代数据中心和云基础设施,此类环境要求存储空间快速、有弹性且可共享。
闪存存储具有速度快、耐用和节能的特点,因此被广泛应用于各种领域:
IBM Storage flashsystem 提供网络弹性和增强的数据存储功能。
IBM® Storage 是一系列数据存储硬件、软件定义存储和存储管理软件。
IBM® Technology Expert Labs 为 IBM 服务器、大型机和存储提供基础设施服务。