减少 DASD 页面调度活动

关于页面调度

处理器的虚拟存储器可能远远超过配置中可用的中央存储器的大小。 必须在辅助存储器 (DASD) 中保留任何多余的数据。 此虚拟存储器发生在称为页面的地址块中。 仅分配最近引用的虚拟存储器页面以占用物理中央存储器块。 当引用未出现在中央存储器中的虚拟存储器页面时，将从 DASD 中引入该页面以替换中央存储器中未使用且最近最少使用的页面。

据说新引用的页面已被分页。 如果已更改此页面，那么可能需要将其调出。

首要关注的是页面加载速率，因为页面加载操作是同步进行的（即 MVS 任务会暂停直至页面故障得到解决）。 页面置出操作与 CICS® 处理重叠进行，因此不会显著影响 CICS 的吞吐量。

DASD 中的页面调进会产生物理 I/O 的时间成本，并且处理器使用率会显着增加。

因此，额外的 DASD 页面调进活动会降低事务流经 CICS 系统的速率; 即，事务需要更长时间才能通过 CICS，您会在 CICS中获得更多事务重叠，因此您需要更多虚拟存储器和实存储器。

如果您怀疑性能问题与过多的页面调度相关，那么可以使用 RMF 来获取页面调度速率。

请考虑使用 CICS 中的 MXT 和事务类限制来控制 CICS 吞吐量，前提是较少数量的并发事务需要较少的实存储器，导致较少的页面调度，并且处理速度可能比较大数量的事务更快。

当 CICS 系统在事务隔离处于活动状态的情况下运行时，会将存储器以 1MB的倍数分配给用户事务。 这意味着启用了事务隔离的 CICS 系统的虚拟存储器需求非常大。 这不会直接影响仅影响已触及的那些 4K 字节页面的页面调度。 但是， ELSQA 中需要更多实存储器。 有关事务隔离和实存储器的更多信息，请参阅 使用事务隔离时实存储器的分配。

什么是理想的 CICS 从 DASD 调页速率? 最好每秒少于一个页面调进，以最大限度提高 CICS 区域的吞吐量容量。 任何每秒少于 5 页的内容都可能是可接受的; 最多可容忍 10 页。 每秒 10 个是边际，更多可能是一个大问题。 由于 CICS 性能可能会受到与页面调度相关联的等待的影响，因此您不应允许页面调度超过每秒 5 到 10 页。

在各种处理器上，哪些调页速率过高，这些速率是否依赖于操作系统? 应将过高的调页速率定义为导致应用程序过度延迟的调页速率。 高优先级调页主管执行指令并导致应用程序等待处理器所造成的影响，就应用程序的总体延迟而言，可能是一个次要考虑因素。 等待 DASD 设备是总体延迟的主要部分。 这意味着高调页率的惩罚几乎与处理器类型无关。

当通过在内存中保留更多数据和程序来利用大量中央存储器的潜力时， CICS 系统通常能够以稍好的处理器利用率来提供更好的响应时间。

程序装入和页面调度

CICS 在 MVS 子任务下使用 MVS 加载程序。 这使得能够利用 MVS 的库旁路功能，通过将程序副本保存在由 MVS 控制的数据空间中，从而消除大部分DASD I/O操作。

页面加载操作会导致需要该页面的 MVS 任务暂停，直至页面被检索完成。 如果要从 DASD 中检索页面，那么这将产生显着影响。 当可以检索页面时，影响仅是处理器使用率相对较小的增加。

将程序装入 CICS 存储器可能是页面调进的主要原因。 因为这是在独立于 CICS 主活动的子任务下执行的，所以此类页面调进不会停止大多数其他 CICS 活动。